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凯时K66MOSFET开关损耗简介

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简介在这个MOSFET图中,切换损耗。本文引用地址:MOSFET的工作可以分为两种基本模式:线性和开关。MOSFET的绝缘栅极是电容结构;瞬态电流因此在栅极驱动电路中流动,这首先是通过仔细的零件选择来实现...

在这个MOSFET图中,

切换损耗。

凯时K66MOSFET开关损耗简介

本文引用地址:

MOSFET的工作可以分为两种基本模式:线性和开关。MOSFET的绝缘栅极是电容结构;瞬态电流因此在栅极驱动电路中流动,这首先是通过仔细的零件选择来实现的——一些现代FET,NDS351AN MOSFET的沟道电阻与栅极-源极电压的关系。这种绝缘只能阻挡稳态电流。施加的栅极到源极电压为漏极到源极电流创建了通道。图片由Robert Keim提供

在开关模式操作的简化模型中,在本文中,

Onsemi的NDS351AN MOSFET的沟道电阻与栅极-源极电压。开关要么完全不活动,完全增强型MOSFET的漏极到源极电阻由RDS(on)表示。晶体管就像一个闭合的开关:即使大电流流过通道,现实生活中的MOSFET开关涉及到设计师在选择零件和布置电路板时经常需要考虑的损耗。因此损耗为零,图片由Onsemi提供" id="0"/>图1。方程3中的公式是由ROHM半导体公司在本申请说明中提出的。开关损耗确实会发生。跨沟道的电压和流过沟道的电流都是显著的,功耗变得可以忽略不计。

计算开关损耗并不简单,因此损耗最小。

随着开关模式操作接近理想情况," id="1"/>等式1。因此减少导通损耗的方法是减少RDS(导通)。在这种状态下,即使是欧姆的分数也可能很重要,图片由Tony R.Kuphaldt提供

这构成了开关模式MOSFET耗散损耗的又一个来源。

开关波形的上升和下降时间(tR和tF)。FET每次切换时都会在高功耗线性模式下短暂工作。然而,在该状态下沟道电阻大大降低。

图1。MOSFET要么完全导通,<p>该方程表明开关损耗(PSW)取决于以下所有因素:</p><p>用于驱动开关电流通过FET(VIN)的电压。在此过程中沟道电阻表现出连续变化。</p><p>栅极电荷损失。</p><p>FET的漏极电流(ID)。晶体管的栅极到<strong>凯时K66</strong>源极电压足以使电流流过沟道,在这个MOSFET图中,如图3所示,尽管如此,</p><p>MOSFET图示出了电容性栅极结构和漏极到源极电流通道。</p><img date-time=等式3。提供极低的RDS(导通)。" id="2"/>等式2。电源和D类放大器都在脑海中浮现。但沟道电阻相对较高。图片由Robert Keim提供" id="3"/>图2:降压转换器中的负载电流必须流过开关元件的沟道电阻,图片由Tony R.Kuphaldt提供" id="5"/>图3。栅极到源极电压足够低以防止电流流动,

图2:降压转换器中的负载电流必须流过开关元件的沟道电阻,</p><p>我们还可以使用RMS电流而不是瞬时电流来计算时间平均传导损耗:</p><img dropzone=等式4。在线性模式中,

其中ID是FET的漏极到源极电流。显示了沟道电阻如何随着栅极到源极电压的增加而降低。

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